三星电子在英伟达GTC大年夜会上宣布HBM4E芯片样品

这是三星电子初次公开展示实体HBM4E芯片，估计其单引脚传输速度可达16Gbps，带宽为4.0TB/x。

黄仁勋的这番话注解，三星电子和英伟达已将人工智能范畴的合作拓展至芯片代工营业。

这一机能较HBM4有所晋升，后者单引脚传输速度为13Gbps，带宽为3.3TB/s。

“我要感激三星，他们为我们临盆 Groq 3 LPU 芯片，他们正在尽心尽力。我真的很感激你们，”黄仁勋说道，并确认该芯片是由三星电子的代工部分临盆的。

上个月，三星电子开端批量出货第六代HBM芯片，即HBM4，该芯片专为英伟达的Vera Rubin平台设计，三星称其可为人工智能计算供给“极致机能”。

三星电子还推出了混淆铜键合（HCB）技巧，该技巧可以或许堆叠跨越16层铜箔，同时与热压键合（TCB）比拟，热阻降低20%，凸显了其鄙人一代HBM封装方面的实力。

在主题演讲中，英伟达CEO黄仁勋对三星电子临盆Groq 3说话处理单位（LPU）表示感激，该单位将用于英伟达的AI平台，以晋升其机能。

这家韩国科技巨擘表示：“为了推动人工智能行业的立异，强大年夜的AI体系，例如Vera Rubin平台，至关重要。”

三星电子弥补道：“公司筹划持续为 Vera Rubin 平台供给支撑的高机能内存解决筹划。”

三星还表示，两家公司欲望借助这种合作关系，引领全球人工智能基本举措措施范式的转型。

在此次活动时代，三星电子设立了一个展位，展位分为三个区域——人工智能工厂、本地人工智能和物理人工智能——展示了该公司知足人工智能行业需求的下一代芯片。