台积电：美国赞成向南京工厂供给芯片制造设备
据路透社报道，台积电周四表示，美国政府已向其授予年度许可证，允许其中国内地南京工厂进口美国芯片制造设备。台积电在发给路透社的一份声明中表示，这一许可“确保了晶圆厂运营和产品交付不受中断”。
TSMC 台积电
台积电拟在日本量产3纳米芯片 投资额增至170亿美元
台积电已经正式通知日本政府，将其在日控股子公司JASM的第二晶圆厂主产工艺由原定6nm升级至3nm，这将是日本国内首度具备3纳米制程的生产能力。据报道，台积电原计划投资在该厂投资122亿美元用于6至12纳米芯片制造能力的建设，但目前随着台积电计划将生产制程提升至3纳米，总投资也将增长至170亿美元。
台积电第一季度净利润飙升58%创汗青新高 远超预期
台积电周四公布，第一季度净利润同比增长58%，远超预期，连续第四个季度创下历史新高，原因是人工智能芯片的需求依然强劲。该公司第一季度净利润为5724.8亿台币，而去年同期为5433.2亿台币。营收为1.134万亿台币，去年同期为1.127万亿台币，增长35%。
台积电一季度营收大年夜涨35% 创汗青新高
受人工智能芯片需求驱动，台积电周五公布的季度营收再创新高。据伦敦证券交易所集团（LSEG）汇总的分析师预测，这家全球最大芯片制造商今年1—3月营收达1.13万亿新台币（约356亿美元），超出市场预期的1.12万亿新台币，同比增幅达35%。
台积电：美国芯片厂良率与本土相当 再转移2大年夜核心技巧到美国
在日前的北美技术论坛上，台积电不仅宣布了A13、A12、N2U等新工艺技术，同时还谈到了台积电在美国的芯片布局战略。对于在美国建厂，业界一直的担心是美国成本太高，是否会影响台积电的利润，这主要反映在良率上，CEO魏哲家表示台积电在美国亚利桑那州的芯片工厂进展顺利，良率已经跟台积电本土工厂相当。
台积电高管称亚利桑那州芯片工厂将于2029年投产
台积电一位高管透露，该公司计划到2029年在美国亚利桑那州开设一家芯片封装厂。此前台积电在1月份的财报电话会议上表示，正在申请许可证，计划在亚利桑那州现有工厂内建设其首个先进封装工厂，但台积电高管当地时间周三在加州圣克拉拉举行的一次会议上表示，亚利桑那州工厂的建设已经启动。
台积电联手索尼推动下一代图像传感器与AI产线构造
台积电与索尼半导体解决方案公司近日签署一份非约束性谅解备忘录，拟成立合资公司，专注于下一代图像传感器的研发与制造。未来合资公司将落户索尼新建的日本熊本县合志市晶圆厂，由索尼持有多数股权并承担控股地位。这一合作将把索尼在图像传感器设计领域的深厚积累，与台积电在先进制程与大规模生产方面的能力结合起来。
台积电颁布制程技巧路线图：A12、A13与N2U表态 A16量产推至2027年
台积电在本周三于北美技术论坛上公布了其一直延伸到2029年的先进制程技术路线图，系统梳理了1.2纳米与1.3纳米级别的新一代制程（A12、A13），意外揭晓了N2家族的新成员N2U，并确认在2029年前的各节点规划中仍未引入高数值孔径（High‑NA）EUV光刻机。
台积电订单排名：英伟达稳居榜首、AMD紧随厥后
摩根士丹利近日发布最新研报显示，在台积电CoWoS先进封装产能的争夺中，英伟达依然是2027年最大的客户。英伟达的Blackwell和Rubin等AIGPU均采用台积电CoWoS-L封装方案，2027年产能预估达到91万颗，同比增长40%。其VeraCPU则采用CoWoS-R封装，出货量预计将翻一番。
郭明錤：台积电玻璃基板是AI芯片必须品 英伟达抢着要
郭明錤近日解读台积电先进封装技术，指出玻璃核心基板是下一代AI芯片制造的必要条件，而非可选优化方案。该技术源自台积电6月11日在日本JPCAShow上的技术演讲，台积电已与揖斐电及群创联手开发玻璃核心基板，采用三层结构设计，玻璃核心夹于两层ABF积层之间。
