三星代工营业或迎来大年夜单 高通CEO称正磋商2纳米芯片临盆
1月7日，据路透社报道，《韩国经济日报》周三援引高通CEO克里斯蒂亚诺·安蒙(CristianoAmon)的话称，高通正就2纳米芯片代工生产事宜与三星电子进行磋商。
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蓝牙SIG认证确认三星Galaxy Z Fold8 Ultra正式定名
三星今年计划推出两款书本式折叠屏智能手机——GalaxyZFold8和GalaxyZFold8Ultra的消息得到进一步证实。GalaxyZFold8Ultra被视为去年推出的GalaxyZFold7的继任者，其更大的电池容量和更薄的机身设计标志着三星在折叠屏技术领域持续进步。
三星宣布 Galaxy S26 与 S26+：小改硬件 大年夜推 AI 体验
三星今日正式发布GalaxyS26系列，其中基础款GalaxyS26带来更大的6.3英寸屏幕与4300mAh电池，而GalaxyS26+在硬件层面变化不大，更多升级集中在芯片性能与一系列面向“智能代理时代”的AI功能上。
内存芯片价格涨势“前所未有” 三星电子季度利润有望立异高
据韩国三星电子联席首席执行官最新表示，内存芯片短缺的局面“前所未有”且“极其严重”，并且内存芯片价格飙升将对智能手机价格产生不可避免的影响。据市场追踪机构DRAMeXchange称，过去一年中，传统DDR4DRAM的基准价格飙升了近七倍——这是自2016年开始追踪价格以来的最高水平；同时，NAND闪存的价格也大幅上涨，同期涨幅超过一倍。
三星Galaxy S26系列获FCC认证 全球搭载首款2nm芯片智妙手机
三星GalaxyS26系列已通过美国联邦通信委员会（FCC）认证，认证信息显示，其中包含GalaxyS26、GalaxyS26+以及GalaxyS26Ultra三款机型。由于认证是面向美国的版本，所以三款新机均搭载骁龙8EliteGen5处理器，支持卫星通信功能。
因制造成本过高 三星Galaxy S27 Ultra或无缘硅碳负极电池技巧
业界最新传出的消息显示，三星在其下一代顶级旗舰智能手机GalaxyS27Ultra上，对于放弃传统锂电池并全面转向新型硅碳（Si-C）负极电池技术的态度依然十分谨慎。令人意外的是，导致三星犹豫不决的根源并非这项电池技术本身存在不确定性，而是背后极其高昂的制造成本。
三星Exynos 2600确认10核心、3.9GHz超大年夜核 全球首款2nm手机芯片
三星Exynos2600的机型依然定档在明年1月份上市，由GalaxyS26系列首发搭载，这是行业首款2nm芯片，采用三星2nmGAA工艺制造。据博主“i冰宇宙”最新消息，Exynos2600确认采用10核心CPU方案，包括1个3.9GHz超大核、3个3.25GHz大核以及6个2.75GHz核心。
赶超SK海力士梦碎：三星猛冲高端内存 却栽在基本良品率上
三星在高端内存领域的追赶步伐遭遇重大挫折。由于关键基础技术D1dDRAM的良率未能达到内部设定目标，三星已决定无限期推迟下一代HBM5E内存的量产计划。此次出问题的D1dDRAM是三星第七代10纳米级工艺，原本是未来HBM解决方案的核心基础。按照规划，这项技术将被用在第九代HBM产品HBM5E上。
三星将美国总部迁往得州普莱诺
韩国三星电子近日确认，其美国业务总部将从长期驻扎的美国新泽西州迁往得克萨斯州普莱诺，预计将在今年内完成搬迁。三星在美国的运营总部在新泽西已扎根逾40年，其中大部分时间位于里奇菲尔德帕克；2024年，三星才刚宣布从里奇菲尔德帕克搬至同样位于新泽西州的恩格尔伍德克利夫斯，如今又决定离开新泽西州，整体迁往得州。
三星停产2D NAND闪存 将旧产线改革为HBM4现代工厂
据韩国媒体TheElec报道，三星电子计划于今年正式停止2DNAND闪存存储的生产，并对相关老旧生产线进行全面改造，以顺应快速增长的人工智能算力与高带宽存储（HBM）需求。
