三星停产2D NAND闪存 将旧产线改革为HBM4现代工厂

2D NAND闪存最早在上世纪90年代末被引入，并持续量产多年，但近几年各大年夜存储厂商已陆续将重心转向堆叠构造的3D NAND。 比拟传统平面NAND，3D NAND在容量密度、靠得住性以及整体机能方面都有明显优势，合适应对数据中间与高端终端设备的需求。 三星筹划在本年3月彻底停止2D NAND临盆，为3D NAND及其他高附加值存储产品腾出更多制造空间。

报道指出，三星位于韩国华城基地的12号临盆线今朝重要用于临盆2D NAND，这一工艺已属于“老旧技巧”。 该产线具备每月约8万至10万片12英寸晶圆的产能，但在3D NAND周全代替平面NAND的大年夜趋势下，其原有效处已不再相符市场偏向。 三星并未选择简单关停该举措措施，而是将个中大年夜量仍具价值的晶圆制造设备转用于DRAM金属化工序，即在DRAM芯片内部形成连接存储单位的金属导线通路。

完成改革后，华城12号线将用于临盆三星第六代10 nm级1c DRAM，这一工艺节点被用于下一代HBM4产品。 三星估计，到本年下半年，其1c DRAM总月产能可晋升至约20万片晶圆，华城改革产线将与平泽的P3、P4临盆线协同运作，为HBM4供给更多产能支撑。

业内人士认为，经由过程将原2D NAND产线改革为DRAM及HBM相干产能，三星有望在全球高带宽存储市场中进一步巩固地位。 在当前存储器供给趋紧的大年夜背景下，增长先辈DRAM与HBM的有效产能，亦有助于在必定程度上缓解存储供给重要和价格上行压力。