三星电子据悉为宝马电动汽车供给车用芯片 据知情人士称,三星电子已开始为宝马公司生产的电动汽车提供先进的汽车芯片,这标志着三星电子在扩大汽车零部件组合方面取得了突破。消息人士透露,三星电子为宝马的新款iX3电动汽车提供了ExynosAutoV720芯片,成为宝马软件定义汽车(SDV)项目的主要半导体合作伙伴。 互联网 2025年12月30日 0 点赞 0 评论 279 浏览
三星Galaxy S26 Ultra海报偷跑 三星将在本月举办GalaxyUnpacked活动,正式发布年度旗舰GalaxyS26系列,包含GalaxyS26、GalaxyS26+和GalaxyS26Ultra三款旗舰。随着发布时间的临近,有关GalaxyS26系列的细节陆续揭开。 互联网 2026年02月04日 0 点赞 0 评论 283 浏览
赶超SK海力士梦碎:三星猛冲高端内存 却栽在基本良品率上 三星在高端内存领域的追赶步伐遭遇重大挫折。由于关键基础技术D1dDRAM的良率未能达到内部设定目标,三星已决定无限期推迟下一代HBM5E内存的量产计划。此次出问题的D1dDRAM是三星第七代10纳米级工艺,原本是未来HBM解决方案的核心基础。按照规划,这项技术将被用在第九代HBM产品HBM5E上。 互联网 2026年04月22日 0 点赞 0 评论 283 浏览
三星2026年99%的电视新品都将搭载AI功能 三星电子昨日在首尔举行新品发布会,正式揭晓2026年全系电视产品线。三星视觉显示业务总裁YongSeok-woo当场宣布,2026年在韩国推出的电视新品中,99%都将搭载AI(人工智能)功能。这意味着无论用户是否需要,AI都将成为三星电视的默认配置。 互联网 2026年04月17日 0 点赞 0 评论 284 浏览
三星Exynos 2600机能实测 多核跑分比肩骁龙8E5 随着三星GalaxyS26系列的正式发布,全球首款2nm手机芯片Exynos2600的实测表现也浮出水面。该芯片由GalaxyS26与GalaxyS26+首发搭载,标志着三星半导体工艺正式迈入2nm时代。 互联网 2026年03月02日 0 点赞 0 评论 284 浏览
三星更新870 EVO系列SATA SSD 最高8TB 订价超1万元 三星近日为870EVO系列SSD增添了8TB版本,型号为“MZ-77E8T0B”,目前已于欧洲上市,定价1300欧元(约合人民币10370.1元)。该系列采用第6代V-NAND技术,搭载128层堆叠的3DTLC闪存,并配备与870QVO相同的MKX主控。 互联网 2026年03月27日 0 点赞 0 评论 284 浏览
三星电子将在年内建成温阳新工厂 加快HBM封装双轨化 三星电子正在推进封装双轨化战略,计划年内完成温阳新工厂建设,明年起正式引入设备。该工厂将用于高带宽存储器(HBM)的先进封装生产,以分散天安工厂的产能压力,同时将温阳现有的通用DRAM封装产线迁至越南。 互联网 2026年05月13日 0 点赞 0 评论 286 浏览
三星Galaxy S26系列定档2月26日 全球首款2nm芯片手机 三星官方今天正式宣布,GalaxyUnpacked发布会将于2月25日在美国加利福尼亚州旧金山举办。线上直播将于美国东部时间下午1点开始,也就是北京时间2月26日凌晨2点。 互联网 2026年02月11日 0 点赞 0 评论 287 浏览
三星500万股东举办反罢工聚会会议:抵制员工巨额奖金 齐心合力守护三星 创下史上最佳单季业绩的三星电子,正陷入一场前所未有的严重劳资危机。三星全国工会因不满薪资集体谈判陷入僵局,扬言发动大罢工,并向公司要求超过40万亿韩元的绩效奖金。面对工会索要巨额绩效奖金并威胁发动大罢工的举动,三星股东宣布将于4月23日举行“反罢工”集会,公开抵制工会的相关诉求。 互联网 2026年04月23日 0 点赞 0 评论 291 浏览
三星停产2D NAND闪存 将旧产线改革为HBM4现代工厂 据韩国媒体TheElec报道,三星电子计划于今年正式停止2DNAND闪存存储的生产,并对相关老旧生产线进行全面改造,以顺应快速增长的人工智能算力与高带宽存储(HBM)需求。 互联网 2026年02月26日 0 点赞 0 评论 291 浏览