Intel初次展示ZAM原型：功耗爆降50% 秒杀现有HBM内存

本来认为还很遥远，没想到Intel如斯之快就向全球展示了其原型产品。据日本媒体PCWatch报道，在Intel Connection Japan 2026活动上，Intel初次公开展示 ZAM（Z角内存）内存技巧原型。

Intel院士兼当局技巧首席技巧官Joshua Fryman和Intel日本首席履行官Makoto />

ZAM技巧的核心冲破在于架构设计，其摒弃了传统内存的垂直布线模式，采取交错互连拓扑构造实现芯片堆叠内部的对角线 “Z 字形” 布线，搭配铜 - 铜混淆键合技巧让芯片层间高效融合。

同时结合无电容设计与Intel成熟的EMIB互连技巧，既实现了与AI芯片的高速连接，又大年夜幅降低芯片热阻，散热机能成为其核心优势。

相较于今朝AI范畴主流的 HBM 内存，ZAM的产品优势十分凸起：单芯片最高容量可达 512GB，功耗较HBM降低40%-50%，能精准解决AI数据中间能耗高企的行业痛点，而Z形互连设计还进一步简化了制造工艺流程，为后续范围化量产奠定基本。

据活动颁布的信息，Intel 在ZAM项目中将负责初始投资与计谋决定计划，两边清楚的分工让这项技巧的落地路径更为明白。

事实上，Intel 早年间曾是DRAM市场的重要介入者，1985年受日本厂商竞争冲击退出该赛道。

不过，ZAM技巧要实现市场突围仍面对关键考验，其最终可否打破现有市场格局，核心在于可否获得 NVIDIA 等 AI 行业领军企业的采取，以及后续可否顺利完成量产落地与生态扶植。

如今全球 AI 大年夜模型练习、超大年夜范围数据中间运算推动算力需求指数级攀升，DRAM 供给链瓶颈凸显，HBM内存的垄断格局也带来了成本与产能问题，这为Intel的回归供给了重要机会。依托在先辈封装、芯片堆叠范畴的深挚技巧积聚，Intel试图以ZAM技巧抢占AI内存市场先机。