高通押注台积电3nm N3X工艺打造Snapdragon X2 Elite Extreme芯片

来自 Moor Insights & Strategy 的技巧拆解显示，Snapdragon X2 Elite Extreme 采取类似苹果“同一内存”的 SiP 封装筹划，把 RAM、存储等多种元件与 SoC 封装在同一模块中，经由过程 192 位内存总线、128GB 内存上限以及最高 9523 MT/s 的内存频率，将带宽拉高至 228GB/s，这一数字虽跨越苹果 M5，但仍低于 M4 Pro 约 273GB/s 的程度。 整颗芯片集成晶体管数量约 310 亿个，N3X 比拟 N3P 在高机能计算场景下可额外带来约 5% 的机能增幅，不过价值是晶体管密度和能效相对吃亏，高通也将 X2 Elite Extreme 设计在跨越 1.0V 的工作电压上运行，以换取更高的频率空间。

在实际功耗设定上，这颗芯片在解锁功耗限制时可打破 100W 阈值，在部分散热前提较好的笔电机身中则可长时光保持 40W 级别，以支撑高负载下的持续机能输出。 然而，今朝公开的 Cinebench 2024 单核与多核测试成果显示，在一致前提下，X2 Elite Extreme 仍落后于苹果 M4 Max；在 GPU 端，面对 M4 Pro 在 3DMark Steel Nomad Light Unlimited、3DMark Solar Bay Unlimited 等合成基准中最高可达约 45% 的领先优势，高通这颗新旗舰同样处于下风，令业界对 N3X 带来的“极限机能红利”是否物有所值产生疑问。

从节点策略上看，高通此次选择 N3X，意味着首度有商用大年夜范围芯片偏离 TSMC 今朝主流的 N3P 路线，优先寻求高频与峰值机能，而非面积和能效最优解。 报道认为，至少从今朝有限的公开基准测试来看，这一选择尚未兑现预期中的“碾压式”领先，高通押注的极限机能路线是否能在更广泛的实际应用与整机设计中发挥优势，还须要后续更多机型与实测数据给出谜底。