豪掷1.5万亿韩元 三星、SK海力士同步进级在华工厂

瑞银证券猜测，全球半导体市场本年将比客岁扩大40%以上，达到1万亿美元范围。此外，中国国内的AI基本举措措施投资也带动了强劲的内需，客岁中国内存半导体市场范围已达约4580亿元人平易近币，估计本年还将进一步扩大年夜。

三星和SK海力士

据CNMO懂得，三星客岁对其位于中国西安的工厂投资了4654亿韩元，较前一年的2778亿韩元大年夜幅增长67.5%。西安工厂是三星独一的海外NAND闪存临盆基地，约占其总产量的40%。此前，三星在2019年对西安工厂投资约6984亿韩元后，2020年至2023年间未进行重大年夜投资，但自2024年起恢复投资并持续加码。

与此同时，SK海力士客岁也对其无锡DRAM工厂和大年夜连NAND闪存子公司进行了跨越1万亿韩元的投资。个中，向无锡DRAM工厂注资5810亿韩元，较2024年的2873亿韩元激增102%；向大年夜连NAND工厂投资4406亿韩元，增长52%。这是SK海力士自2022年收购英特尔大年夜连NAND工厂以来，初次在华进行万亿韩元范围的投资。

SK海力士无锡DRAM工厂

韩媒解读称，全球内存市场两位巨擘如斯积极投资中国工厂的背后，是源源赓续的内存半导体订单。当前内存市场供给重要，本年全年的DRAM和NAND闪存产量已根本售罄。跟着AI办事从简单的搜刮演变为须要更多推理和进修的“智能体”情势，对高机能DRAM的需求激增，用于AI数据中间处理信息的超高机能内存订单也大年夜幅增长。

仅靠韩国国内的临盆举措措施已无法知足全球需求，三星和SK海力士正经由过程进级其关键临盆基地之一的中国工厂来扩大年夜供给。经由过程大年夜范围追加投资，三星筹划将其西安NAND工厂的重要工艺从128层（第6代）进级至236层（第8代）。

SK海力士则经由过程投资，将其无锡工厂的DRAM临盆工艺从10纳米级第3代（1z）进级至第4代（1a）。进级后，无锡工厂将可以或许大年夜范围临盆第五代双倍数据速度（DDR5）等高附加值产品。该工厂占SK海力士DRAM总产量的30%以上，现已转型为高附加值产品临盆基地。