Intel公布三大全新晶体管材料 漏电率降低1000倍
如何继续缩小晶体管、推动先进制程工艺，是当下半导体行业集体都在努力的事情，其中一大关键就是寻找新的、更理想的晶体管材料。2025年度的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，Intel、Intel Foundry的团队就展示了三种前景光明的MIM堆叠材料，分别是：铁电铪锆氧化物(HZO)、氧化钛(TiO)、钛酸锶(STO)。
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