TSMC 台积电

台积电先辈工艺让友商瞠乎其后:1.4nm超预期 1nm工艺30年量产

尽管三星、Intel在2nm节点看起来追上了台积电,但是只能做到部分领先,台积电在客户订单、产能建设、资本开支以及最核心的技术进展上依然是非常领先的。CEO魏哲家表示不怕Intel的竞争,这话也不是简单的场面话,先进工艺上的护城河极深,就算三星或者Intel在2nm的量产时间上抢先宣布领先,但台积电接下来的布局是他们两家没法追的。

台积电:美国赞成向南京工厂供给芯片制造设备

据路透社报道,台积电周四表示,美国政府已向其授予年度许可证,允许其中国内地南京工厂进口美国芯片制造设备。台积电在发给路透社的一份声明中表示,这一许可“确保了晶圆厂运营和产品交付不受中断”。

台积电拟在日本量产3纳米芯片 投资额增至170亿美元

台积电已经正式通知日本政府,将其在日控股子公司JASM的第二晶圆厂主产工艺由原定6nm升级至3nm,这将是日本国内首度具备3纳米制程的生产能力。据报道,台积电原计划投资在该厂投资122亿美元用于6至12纳米芯片制造能力的建设,但目前随着台积电计划将生产制程提升至3纳米,总投资也将增长至170亿美元。

台积电3nm工艺筹划提前一年落地美国 防止敌手抢占先机

据报道,台积电已决定将其亚利桑那州二厂的3nm先进制程量产时间提前至2027年,比原计划的2028年足足提早了一年。台积电的亚利桑那工厂是该公司最大的投资项目之一,计划投资高达3000亿美元,目前第一座工厂已经开始4nm制程的生产,而第二座工厂则计划在2027年实现3nm的量产。