三星代工营业或迎来大年夜单 高通CEO称正磋商2纳米芯片临盆
1月7日，据路透社报道，《韩国经济日报》周三援引高通CEO克里斯蒂亚诺·安蒙(CristianoAmon)的话称，高通正就2纳米芯片代工生产事宜与三星电子进行磋商。
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三星宣布 Galaxy S26 与 S26+：小改硬件 大年夜推 AI 体验
三星今日正式发布GalaxyS26系列，其中基础款GalaxyS26带来更大的6.3英寸屏幕与4300mAh电池，而GalaxyS26+在硬件层面变化不大，更多升级集中在芯片性能与一系列面向“智能代理时代”的AI功能上。
三星Galaxy S26系列获FCC认证 全球搭载首款2nm芯片智妙手机
三星GalaxyS26系列已通过美国联邦通信委员会（FCC）认证，认证信息显示，其中包含GalaxyS26、GalaxyS26+以及GalaxyS26Ultra三款机型。由于认证是面向美国的版本，所以三款新机均搭载骁龙8EliteGen5处理器，支持卫星通信功能。
三星Exynos 2600确认10核心、3.9GHz超大年夜核 全球首款2nm手机芯片
三星Exynos2600的机型依然定档在明年1月份上市，由GalaxyS26系列首发搭载，这是行业首款2nm芯片，采用三星2nmGAA工艺制造。据博主“i冰宇宙”最新消息，Exynos2600确认采用10核心CPU方案，包括1个3.9GHz超大核、3个3.25GHz大核以及6个2.75GHz核心。
内存芯片价格涨势“前所未有” 三星电子季度利润有望立异高
据韩国三星电子联席首席执行官最新表示，内存芯片短缺的局面“前所未有”且“极其严重”，并且内存芯片价格飙升将对智能手机价格产生不可避免的影响。据市场追踪机构DRAMeXchange称，过去一年中，传统DDR4DRAM的基准价格飙升了近七倍——这是自2016年开始追踪价格以来的最高水平；同时，NAND闪存的价格也大幅上涨，同期涨幅超过一倍。
三星停产2D NAND闪存 将旧产线改革为HBM4现代工厂
据韩国媒体TheElec报道，三星电子计划于今年正式停止2DNAND闪存存储的生产，并对相关老旧生产线进行全面改造，以顺应快速增长的人工智能算力与高带宽存储（HBM）需求。
博主暴力测试三星三折叠：14.4万次后搭钮就“软了” 未达20万次官方承诺
日前，三星GalaxyZTriFold三折叠手机发布，官方承诺铰链可经受20万次折叠测试。三星还称，这一测试数据模拟了每天折叠100次、连续使用5年的场景。
55岁三星长公主李富真露面 腿脚不便引存眷
日前，韩国访问年委员会委员长、新罗酒店社长李富真现身首尔明洞街区，与韩国高官一同视察文旅。现场视频显示，李富真身穿灰色大衣，面带微笑与随行官员交流。
三星量产34英寸360Hz QD-OLED面板 解决文字彩边问题
三星的QD-OLED显示技术在色彩表现上一直具有优势，其通过蓝色发光层与量子点实现的“加法式”成像方式，带来了比传统WOLED更丰富的色彩体积。然而，该技术此前因采用非常规的三角形子像素排列，导致文本显示时常出现边缘发虚与彩边问题，影响了文字阅读的清晰度。
三星预告全新隐私功能：为Galaxy手机屏幕“防窃视”
三星近日预告了一项正在开发中的隐私功能，旨在防止周围人从侧面窥视用户手机屏幕内容。这项新功能将率先登陆即将发布的GalaxyS26Ultra，并为用户提供更精细的屏幕可视性控制，以应对公共场景下“肩窥”（shouldersurfing）带来的隐私风险。
