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三星电子客岁本钱支出和研发投入近90万亿韩元 居全球半导体公司首位

周三公布的行业数据显示,三星电子2025年在资本支出和研发方面投入近90万亿韩元(约合592亿美元),成为全球十大半导体公司中最大的投资者。据企业追踪机构CEOScore汇编的数据显示,三星电子去年投资了近90亿韩元,其中52.2万亿韩元用于资本支出,37.7万亿韩元用于研发。

三星Exynos 2600芯片内部构造曝光 三层异构多核搭配AMD RDNA 4集成显卡

近日,三星Exynos2600应用处理器的芯片内部照片流出,经KurnalSalts标注后,展现出这款面向智能手机、平板电脑和超便携笔记本设计的处理器拥有大规模逻辑电路复杂结构,集成了大量片上内存和计算单元。该芯片采用三星自主研发的SF2制程技术生产,这是一种2纳米GAAFET工艺节点,其晶体管密度和电气性能与台积电的N2工艺相当。整个芯片为单片式设计,所有逻辑组件均集成在同一芯片上。

4F架构全球首产 三星冲破DRAM物理极限

据报道,三星电子全球首次成功产出了基于4F²架构的DRAM工作晶圆,一举突破了传统平面DRAM长期面临的物理微缩极限。据悉,今年2月,三星已在ISSCC2026会议上首次公开展示了这颗融合4F²架构的16GbDRAM原型。

三星宽折叠Galaxy Z Fold8与Galaxy Watch Ultra 2现身印度认证机构

三星即将推出的新款宽幅折叠屏手机GalaxyZFold系列机型近日现身印度标准局(BIS)认证数据库,进一步印证了其上市在即的节奏。根据此前业界普遍观点,这款新品预计将以“GalaxyZFold8”为名上市,而现有纵向比例折叠形态的续作则会被命名为GalaxyZFold8Ultra。

三星拟用独特封装技巧的高带宽内存打造“本地AI”手机和平板

三星正研发专门面向智能手机和平板电脑的高带宽内存(HBM),并计划通过复杂封装技术,将这些移动终端打造成强大的本地AI计算平台。目前HBM主要部署在服务器和数据中心领域,而三星希望借助这一高性能DRAM形态,进一步放大在AI浪潮下的利润空间,不错过任何潜在市场。