据称三星正推动 2 纳米定制 HBM 逻辑芯片的开辟
据韩国媒体报道，三星半导体正推进一项针对高带宽内存（HBM）的全新2纳米工艺项目，计划为不同客户需求开发定制化HBM逻辑芯片。报道引述业内人士称，尽管具体客户名单尚未披露，但三星HBM开发团队已经着手为下一代产品预研使用“先进至2纳米”的晶圆代工制程，为未来数代HBM解决方案奠定基础。
Samsung 三星
三星宣布The Freestyle+便携投影仪 亮度翻倍并参加多项AI功能
在CES2026即将开幕之际，三星抢先发布新一代便携式投影仪TheFreestyle+，主打更高亮度与全面AI自动优化功能，将于1月6–9日在展会上正式亮相，并计划在2026年上半年面向全球市场上市。
三星：本年筹划将搭载Gemini AI的移动设备产量翻倍至8亿台
三星电子联席首席执行官表示，公司计划在今年将搭载GalaxyAI功能的移动设备产量提升一倍，达到8亿台。该系列功能主要由谷歌Gemini大模型提供技术支持。在全球人工智能竞争日趋白热化的背景下，此举有望帮助这家谷歌进一步拉开与竞争对手的差距。
三星加码HBM4谋求AI存储主导权 2026年是关键一年
三星电子在进入2026年之际释放出在存储芯片市场卷土重来的信号，强调下一代高带宽存储芯片HBM4正在赢得客户更高信任与积极反馈。该公司芯片业务负责人兼联席首席执行官全英铉在一份新年致辞中表示，客户对HBM4性能给予“高度评价”，并直言“三星回来了”。这一表态出现在人工智能硬件市场竞争愈发激烈、且该领域近期由竞争对手SK海力士占据主导的背景之下。
2026年首款万元机皇 三星Galaxy S26 Ultra机模上手
三星通常会在Q1发布最新的GalaxyS系列旗舰，按照惯例，GalaxyS26系列也将在2026年Q1登场。现在三星GalaxyS26Ultra的机模在社交平台上被曝光，其外观正式揭晓。如图所示，GalaxyS26Ultra最明显的变化是左侧的三摄被放置在椭圆形相机岛上，而上代旗舰GalaxyS25Ultra没有相机岛，各个镜头采用独立的排列方式。
三星否定将停产SATA固态硬盘
近期存储市场供应持续紧张，人工智能等领域的爆发性需求是主要推手。此前曾有传言称，三星电子将放弃消费级SATA固态硬盘产品线。对此，三星官方已在多个渠道予以澄清，表示消息不实。
三星Galaxy S26/S26+设备外不雅全揭晓 全球首发搭载2nm芯片
三星GalaxyS26系列新旗舰将在2月25日发布，预计国行版会在3月登场。AndroidHeadline最新发文，揭晓了GalaxyS26/S26+的核心参数和外观渲染图。外观方面，GalaxyS26/S26+与前代差距不大，依然是家族化的简约造型，直屏+直边方案，正面屏幕是居中挖孔。
首款2nm芯片三星Exynos 2600没有集成5G基带 须要零丁外挂
三星在本月推出了Exynos2600，这是全球首款2nm手机芯片。不过三星做出了一个颇为反常的举动—未在Exynos2600中集成5G基带，此举可能是为了简化应用处理器的制造流程。
博主暴力测试三星三折叠：14.4万次后搭钮就“软了” 未达20万次官方承诺
日前，三星GalaxyZTriFold三折叠手机发布，官方承诺铰链可经受20万次折叠测试。三星还称，这一测试数据模拟了每天折叠100次、连续使用5年的场景。
2026年首款万元机皇 三星Galaxy S26 Ultra机模上手
三星通常会在Q1发布最新的GalaxyS系列旗舰，按照惯例，GalaxyS26系列也将在2026年Q1登场。现在三星GalaxyS26Ultra的机模在社交平台上被曝光，其外观正式揭晓。如图所示，GalaxyS26Ultra最明显的变化是左侧的三摄被放置在椭圆形相机岛上，而上代旗舰GalaxyS25Ultra没有相机岛，各个镜头采用独立的排列方式。
