4F架构全球首产 三星冲破DRAM物理极限

三星3月应用10a工艺完成晶圆临盆，并经由过程特点测试确认晶片正常运行。该成果为全球初次融合4F²单位构造与垂直沟道晶体管（VCT）工艺的实践。

技巧上，4F²架构将传统DRAM的单位面积从6F²缩减为2F×2F正方形构造，理论上可晋升单位面积容量30%至50%，同时兼顾速度与功耗优势。

为实现这一构造，三星引入了VCT技巧，将晶体管沟道垂直建立，在有限芯单方面积内增长沟道长度，有效缓解传统平面晶体管在微缩时遭受的短沟道效应与漏电问题。

另一方面，三星采取了晶圆间混淆铜键合技巧，将存储单位阵列与外围电路在不合晶圆上分开制造再垂直堆叠，实现超高密度互联。

通道材料也从传统硅换为铟镓锌氧化物（IGZO），以在缩小单位中克制泄漏电流。

将来同尺寸DRAM芯片可以塞进更多单位，轻薄本、智妙手机等终端设备有望在小体积、低功耗前提下，获得更大年夜内存容量和更快数据吞吐速度。

SK海力士筹划在10b节点引入4F²+VCT，美光则保持现有设计路线，中国厂商因EUV受限直接构造3D DRAM。

三星为此筹划了清楚的路线图——2026年完成10a DRAM开辟，2027年开展品德测试，2028年转入量产。