三星Galaxy S22降频门事宜终结：三星败诉 向花费者补偿
耗时四年的三星GalaxyS22降频门事件终于尘埃落定。韩国首尔高等法院近日作出判决，要求三星电子向受影响的消费者支付赔偿金。这一法律纠纷始于2022年3月，当时大量韩国消费者联名起诉三星，指控其系统预装的游戏优化服务（GOS）应用程序强制限制了手机性能，导致用户体验大幅下降。
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三星据称将推出“100%自立技巧”GPU 最终野心：打造第二个博通
北京时间周四晚间出现市场传闻称，在全球消费电子和芯片代工市场均有一席之地的三星，将推出“100%自主技术”开发的自有移动图形处理器（GPU）。
三星提议无前提恢复劳资会谈 工会：罢工一向、对话稍后
5月15日，据路透社报道，三星电子的韩国工会周五表示，在有关薪酬与奖金方案的政府调解谈判破裂数日后，这家科技公司已提出“无条件恢复谈判”。
三星代工营业或迎来大年夜单 高通CEO称正磋商2纳米芯片临盆
1月7日，据路透社报道，《韩国经济日报》周三援引高通CEO克里斯蒂亚诺·安蒙(CristianoAmon)的话称，高通正就2纳米芯片代工生产事宜与三星电子进行磋商。
三星宣布 Galaxy S26 与 S26+：小改硬件 大年夜推 AI 体验
三星今日正式发布GalaxyS26系列，其中基础款GalaxyS26带来更大的6.3英寸屏幕与4300mAh电池，而GalaxyS26+在硬件层面变化不大，更多升级集中在芯片性能与一系列面向“智能代理时代”的AI功能上。
三星Galaxy S26系列获FCC认证 全球搭载首款2nm芯片智妙手机
三星GalaxyS26系列已通过美国联邦通信委员会（FCC）认证，认证信息显示，其中包含GalaxyS26、GalaxyS26+以及GalaxyS26Ultra三款机型。由于认证是面向美国的版本，所以三款新机均搭载骁龙8EliteGen5处理器，支持卫星通信功能。
三星Exynos 2600确认10核心、3.9GHz超大年夜核 全球首款2nm手机芯片
三星Exynos2600的机型依然定档在明年1月份上市，由GalaxyS26系列首发搭载，这是行业首款2nm芯片，采用三星2nmGAA工艺制造。据博主“i冰宇宙”最新消息，Exynos2600确认采用10核心CPU方案，包括1个3.9GHz超大核、3个3.25GHz大核以及6个2.75GHz核心。
赶超SK海力士梦碎：三星猛冲高端内存 却栽在基本良品率上
三星在高端内存领域的追赶步伐遭遇重大挫折。由于关键基础技术D1dDRAM的良率未能达到内部设定目标，三星已决定无限期推迟下一代HBM5E内存的量产计划。此次出问题的D1dDRAM是三星第七代10纳米级工艺，原本是未来HBM解决方案的核心基础。按照规划，这项技术将被用在第九代HBM产品HBM5E上。
内存芯片价格涨势“前所未有” 三星电子季度利润有望立异高
据韩国三星电子联席首席执行官最新表示，内存芯片短缺的局面“前所未有”且“极其严重”，并且内存芯片价格飙升将对智能手机价格产生不可避免的影响。据市场追踪机构DRAMeXchange称，过去一年中，传统DDR4DRAM的基准价格飙升了近七倍——这是自2016年开始追踪价格以来的最高水平；同时，NAND闪存的价格也大幅上涨，同期涨幅超过一倍。
三星停产2D NAND闪存 将旧产线改革为HBM4现代工厂
据韩国媒体TheElec报道，三星电子计划于今年正式停止2DNAND闪存存储的生产，并对相关老旧生产线进行全面改造，以顺应快速增长的人工智能算力与高带宽存储（HBM）需求。
