4F架构全球首产 三星冲破DRAM物理极限 据报道，三星电子全球首次成功产出了基于4F²架构的DRAM工作晶圆，一举突破了传统平面DRAM长期面临的物理微缩极限。据悉，今年2月，三星已在ISSCC2026会议上首次公开展示了这颗融合4F²架构的16GbDRAM原型。 互联网 2026年04月27日 0 点赞 0 评论 75 浏览
