吉利子公司告状欣旺达 因电池质量问题索赔23亿元
欣旺达电子股份有限公司今日发布公告，公司的子公司欣旺达动力于2025年12月25日收到浙江省宁波市中级人民法院送到的民事起诉状、应诉通知书（案号：（2025）浙02民初1870号）等诉讼材料。因买卖合同纠纷，原告威睿电动汽车技术（宁波）有限公司，起诉欣旺达动力科技股份有限公司。
硬件
微星最新推出的QD-OLED显示器 终于解决了字体彩边问题
据外媒PCGamer报道，MSI（微星）近日推出了一款全新的QD-OLED游戏显示器——MPG341CQRQD-OLEDX36。虽然该显示器的名字很糟糕，但采用了三星最新的第五代QD-OLED面板，在画质表现和日常可用性方面实现了明显进步，并因此获得了PCGamer编辑推荐奖，综合评分高达92%。
苹果高通联发科将同期宣布2nm芯片
今年9月份，苹果、高通和联发科各自发布了年度旗舰芯片，分别是A19/A19Pro、骁龙8EliteGen5和天玑9500，这些芯片都是采用台积电3nm工艺制程。
传长鑫来岁将把两成产能投入HBM3量产
消息称中国存储芯片厂商长鑫存储（CXMT）已启动HBM3高带宽存储器（HighBandwidthMemory3）模组的量产工作。该公司在高性能存储领域正努力追赶国际主流厂商，其中以韩国企业为代表的竞争对手早在2023年便全面进入第四代高带宽存储产品的量产阶段。
彭博：中国度当级AI芯片加快崛起 最早2026年迎来“DeepSeek时刻”
彭博社周一发文称，中国芯片技术发展迅速，有望在2026年或2027年迎来“DeepSeek时刻”，对英伟达及其供应链产生颠覆性影响。目前，中国芯片制造商正加速进入IPO市场融资，这些资金对于实现科技自立自强、赢得全球AI竞争的目标至关重要。本月，摩尔线程、沐曦股份接连在科创板上市，行情火爆，显示出股市对未来国家级芯片行业龙头企业的巨大需求。
韩美半导体推出新型宽幅热压键合设备 为HBM5与HBM6铺平门路
本周，随着“SemiconKorea2026”半导体展览会于2月11日在韩国盛大开幕，业内目光纷纷聚焦于韓美半導體（HanmiSemiconductor）即将揭晓的尖端存储制造设备。据韩国媒体报道，该公司在展会现场新设立的展位上展示了其最新的“WideTCBonder”设备，相关宣传资料显示，这项新技术被定位为高带宽存储器（HBM）大规模生产中混合键合（HybridBonder）技术的有力替代方案
中芯国际在无EUV设备前提下量产5纳米级N+3工艺 华为麒麟9030已采取
中国晶圆代工企业中芯国际（SMIC）正式实现其最新5纳米级工艺节点SMICN+3的量产，被外界视为目前中国境内最先进、且完全在无极紫外（EUV）光刻设备条件下量产的半导体制程。该节点依托深紫外（DUV）光刻技术完成芯片制造，绕开了对EUV设备的依赖。
摩尔线程MTT S5000参数初次公开：80GB显存、单卡算力1切切亿次
智谱发布新一代大模型GLM-5之后，摩尔线程立即宣布，在旗舰级AI训推一体全功能GPUMTTS5000上完成了Day-0全流程适配与验证，第一时间提供支持。MTTS5000是摩尔线程专为大模型训练、推理及高性能计算设计的全功能GPU智算卡，基于第四代MUSA架构“平湖”，原生适配PyTorch、Megatron-LM、vLLM、SGLang等主流框架。
俄罗斯全新CPU初次公开：真正自立龙芯授权 最高64核心2.0GHz
日前有说法称，俄罗斯正基于中国龙芯中科自主可控、开放授权的龙架构(LoongArch)，开发一款全新的处理器“Irtysh”(额尔齐斯河)。它首先面向服务器市场，后续推向PC领域，甚至计划走出俄罗斯。
4TB DDR5 ECC RDIMM内存套装标价逾7万美元
美国内存与存储供应商NEMIX近日上架一款超高容量DDR5内存套装，单套容量高达4TB，标价70800美元，在当前DRAM供应紧张的大背景下显得尤为瞩目。据介绍，该套装由16条256GB的ECCRDIMM组成，运行频率为6400MHz，CAS延迟为52，面向预算充裕的数据中心级用户和高端工作站市场，折算下来每GB价格约17.3美元，远高于消费级DRAM约每GB10美元的平均水平。
