韩美半导体推出新型宽幅热压键合设备 为HBM5与HBM6铺平门路

因为广泛存在的技巧难题，混淆键合设备的贸易化过程已多次推迟，而韩美半导体筹划于 2026 年下半年推出的这款 Wide TC Bonder 有望凭借其独特优势弥补这一市场空白 。

固然这些加强功能将直接惠及即将到来的 HBM4 临盆线，但韩美半导体更长远的眼光在于将其打造为制造将来 HBM5 和 HBM6 产品的关键工厂技巧。这一计谋构造与客岁夏天 KAIST 和 TERA 结合宣布的行业路线图相呼应，该路线图猜测 HBM4 将于 2026 年随 NVIDIA “Rubin” 架构 AI 加快器首秀，而 HBM7 估计将在 2030 年代末问世，显示出行业对更高机能存储堆叠技巧的持续渴求 。

据《朝鲜日报》（Chosun Biz）在产品正式宣布前获得的独家消息，韩美半导体代表泄漏，这款新标准设备采取了先辈的无助焊剂（fluxless）周详键合技巧，可以或许明显晋升 HBM 临盆的良率、质量和完全性。