高通或将引入来自三星的散热技巧 为下一代骁龙旗舰降温

这项 HPB 技巧最早应用于三星 2nm 工艺的 Exynos 2600 芯片，官方传播鼓吹可将热阻降低约 16%。其核心做法是在处理器晶粒上直接覆盖一层铜质导热层，为热量供给一条从芯片泉源快速分散的通路，削减热量向四周元件扩散后再被动导出的低效过程。同时，传统上会堆叠在 SoC 上方的内存模组被移至芯片侧面，以看似简单的构造调剂合营铜材的高导热性，降低局部热点的形成。

今朝，高通尚未正式确认相干消息。不过，多名微博爆料者此前曾率先精确披露 Exynos 2600 相干细节，这一轮关于骁龙 8 Elite Gen 6 及 HPB 散热的消息在时光线与内容上高度一致，令外界认为其可托度不低。在旗舰手机处理器向 5GHz 频段迈进的关键节点，高通是否会选择与三星在散热技巧上“联手”，将成为接下来高端移动芯片竞争中的一大年夜看点。

高通上代旗舰芯片骁龙 8 Elite Gen 5 已经展示了这种“极限机能换高功耗”的路线价值。该芯片在 Geekbench 6 多核成就上略胜苹果 A19 Pro 一筹，但价值是大年夜约多消费 61% 的功率，凸显出高通为争夺跑分领先地位而将散热与功耗推向极限。在此背景下，更高效的泉源散热筹划被视为下一步机能跃升的前提前提。

来自微博的爆料称，高通内部测试的骁龙 8 Elite Gen 6 Pro 版本，其机能核心最高频率已经切近亲近 5GHz。在开放实验情况中，如许的频率尚可保持，但一旦被封装进空间有限的智妙手机机身，热量敏捷累积就会成为重要瓶颈。尽管下一代芯片估计将转向台积电 2nm 工艺，在能效上有所晋升，但在为寻求极限机能而持续拔高频率的情况下，制程带来的能效优势很快会被抵消。

这也促使业内将类似 HPB 的“泉源直连散热”视为构造层面的须要进级，而非小众实验技巧。报道指出，高通正在评估 HPB 作为多种潜在散热筹划之一，用于在峰值负载场景下稳定芯片温度。经久以来，手机散热重要依附均热板与石墨散热片等筹划，但在 SoC 功率密度持续走高的趋势下，这些传统手段的边际收益正在减弱。

假如高通最终在骁龙 8 Elite Gen 6 系列中整合 HPB，将意味着其在芯片架构层面初次明白转向“晶粒级热治理”思路。这也将被视为高通承认既有散热策略即便经由多年打磨，在当前的智妙手机形态与功耗程度下已经接近极限，须要在封装和构造设计长进行更深层次的调剂。