2026年第一季度存储器价格周全上涨 多品类增幅创汗青新高

研报指出，此次价格上涨的核心驱动力来自需求端的爆发式增长。

具体价格涨幅方面，DRAM类产品成为上涨主力。

跟着AI推理应用处景持续扩大年夜，北美、中国各大年夜云端办事业者（CSP）、办事器厂商（Server OEM）对高机能存储器的备货需求强烈，而PC整机2025年第四时度出货量超预期，进一步加剧了PC DRAM的缺货态势，头部PC OEM厂商库存程度持续下滑。

Server DRAM价格季增88%-93%，Mobile DRAM中LPDDR4X、LPDDR5X合约价季增均达88%-93%，均为积年最高程度；

供给端方面，存储器原厂更看好DRAM市场的获利前景，将部分产线转向DRAM临盆，导致NAND Flash新增产能被紧缩，仅能经由过程制程进级勉强晋升单位产出，短期产能瓶颈难以缓解，原厂议价才能明显加强，市场出现明显的卖方市场特点。

整体Conventional DRAM合约价季增幅度从1月初预估的55%-60%上调至90%-95%；

PC DRAM（DDR4&DDR5混淆）价格估计季增105%-110%，涨幅超一倍，创下汗青新高；

高带宽存储器（HBM）混淆合约价也实现80%-85%的季度增长。

NAND Flash类产品同样涨幅明显，整体合约价季增幅度从33%-38%上调至55%-60%。

值得留意的是，手机厂商的存储器采购会谈进度存在差别。

美系手机客户2026年Q1的Mobile DRAM合约价已于2025岁尾完成议定，而中系手机客户受2025年第四时度合约价刚敲定及阴历春节长假影响，相干会谈估计最快需至2月底才会取得本质进展。

此次存储器价格的大年夜幅上涨，将对终端电子设备临盆成本、供给链备货策略产生明显影响。