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本轮涨价对全球大年夜型科技企业影响尤为明显,微软、Google等云巨擘被曝正大年夜量扫货DRAM芯片,以应对新建与扩容AI数据中间对内存带来的激增需求。数据中间之外,PC与智妙手机等花费电子产品的临盆成本同样面对上升压力,华硕等整机与品牌厂商被认为很可能会在后续产品中将更高的元件成本部分转嫁给终端花费者。

行业分析认为,高带宽存储HBM3E的订单激增,是推高当前DRAM价格的重要直接动力之一。面向AI练习与推理的高机能加快卡须要搭载大年夜量高带宽显存,HBM3E今朝被用于英伟达H200等AI芯片,而H200近期已获美国当局赞成向中国出口,进一步刺激了相干存储需求。同时,博通也在大年夜幅进步HBM3E的采购量,用于Google自研TPU及其他定制AI加快器,使得DRAM供给链遭受更大年夜压力。

为了锁定供给,微软、亚马逊等科技巨擘被指派采购买家前去韩国,与本地存储厂展开密集会谈,试图提前签下更稳定的供货安排。韩国方面的报道显示,首尔周边商务酒店近期被美国大年夜型企业的常驻人员经久预订,反应出全球IT巨擘在这一轮内存抢购战中的紧急心态。

为在涨价周期中保存更多调价空间,三星与SK海力士据称已大年夜幅削减经久供货协定的比重,转而请求客户以季度合约为主,以便在将来数季根据市场供需进一步晋升价格。与此同时,美国存储厂商美光此前已宣布,2026年全年的内存供货协定已根本锁定,并决定停止面向花费级市场的Crucial品牌营业,将资本集中投向企业与数据中间客户。

市调机构TrendForce猜测,本轮DRAM景气周期将延续一段时光,惯例DRAM合约价在2026年第一季度有望累计上涨至多60%。相较之下,NAND闪存价格涨幅估计较为平和,但仍可能出现最高约38%的上调。在AI数据中间扶植与算力竞争愈演愈烈的背景下,需求短期内难以被新增产能完全知足,浩瀚客户为了保持市场竞争力,估计将被迫接收更高的存储芯片采购成本。

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