台积电已开启N2 2nm工艺的大年夜范围量产

来岁，台积电N2的产能将快速爬坡，迎接各家产品，包含NVIDIA、AMD、苹果、高通、联发科都邑用它。

N2是台积电首个应用GAA(环绕栅极纳米片晶体管)的制程节点，有些类似Intel RibbonFET。

该技巧经由过程栅极完全包裹由程度堆叠纳米片构成的导电沟道，优化了静电控制后果，降低了漏电率，从而在不就义机能与能效的前提下进一步缩小晶体管尺寸，实现密度晋升。

N2工艺还在供电部分集成了超高机能金属-绝缘体-金属电容器(SHPMIM)，电容密度比之前的高机能金属-绝缘体-金属电容器(SHDMIM)晋升跨越2倍，同时将薄层电阻(Rs)、通孔电阻(Rc)降低了50％，从而晋升供电稳定性、芯片机能、综合能效。

按照台积电给出的说法，N2比拟N3E一致功耗下机能晋升10-15％，一致机能下功耗降低20-25％，晶体管密度则晋升15％。

N2工艺后续还有两个进级版本，N2P估计2026年下半年量产，机能再晋升5-10％，功耗再降低5-10％。

N2X则将在2027年量产，比较N2P持续晋升10％的机能，功耗也进一步降低。

再往后就是A16、A14，个中前者业界首发超等供电电路(SPR)，量产工作也将于2026年下半年如期推动。