SK海力士、三星和美光加快16层堆叠HBM 都想供货给NVIDIA

一位行业人士表示：“继12-Hi HBM4之后，英伟达又提出了16-Hi的供货需求，是以我们正在制订异常快速的开辟时光表。机能评估最早可能在来岁第三季度之前开端。”

16-Hi HBM技巧尚未实现贸易化，其开辟面对诸多技巧难题，尤其是跟着堆叠层数的增长，DRAM堆叠的复杂性呈指数级上升。

为了增长堆叠层数，粘合伙料的厚度必须缩减到10µm以下，如安在极致轻薄化后依然能有效散热，是三家企业必须跨越的“大年夜山”。

根据JEDEC标准，HBM4的总厚度限制在775µm，要在这一有限空间内塞进16层DRAM芯片，意味着晶圆厚度必须从今朝的50µm紧缩至30µm阁下，而如斯薄的晶圆在加工中极易破坏。

此外，粘合工艺也是竞争核心，今朝三星与美光重要采取 TC-NCF技巧，而SK海力士则保持MR-MUF工艺。

16-Hi被视为半导体行业的一道分水岭，根据行业蓝图，下一代HBM5的堆叠层数也仅能达到16层，估计到2035年的HBM7才会实现20层和24层堆叠，而将来的HBM8也将止步于24层堆叠。