三星六成NAND产能给了英伟达 V10量产V11试产同步推动

V9良率已超80%，进入量产稳按期，平泽P4工厂的NAND干净室空间还有超一半可用于扩产。

此外，V10开端范围采取钼（Molybdenum）替代传统钨作为布线材料，布线厚度削减30%至40%，是业界初次将该材料贸易化应用。

这一切的背景是英伟达即将推出的CMX（Context Memory Storage，高低文存储），单套可容纳576块SSD、总容量9600TB。

据估计，CMX对NAND的需求将从本年的3500万TB暴增至来岁1亿TB以上，而三星电子2026年NAND产量估计约2.5亿TB，有望成为CMX核心供给商。

英伟达吃掉落了三星电子大年夜部分产能，留给其他客户和花费者的所剩无几，存储涨价生怕还要持续。

V10已在本年上半年开端量产，堆叠层数达400层，存储密度比V9赶过50%以上，更值得存眷的是，V11（目标400-500层）已进入试产，下半年试产范围将翻倍，为量产积聚良率数据。