受严格出口规矩限制,蔡司和阿斯麦等企业被禁止向中国输送EUV相干设备,从而压抑了本地的行业进展。在台积电等龙头企业加快推动2纳米临盆的背景下,罗姆蒙德认为中国将来的贸易级芯片制造才能将经久受限于7纳米节点。尽管借助多重曝光技巧应用DUV设备理论上可以或许实现5纳米级芯片,但显而易见的弊病是制造工艺极其复杂、良率偏低且成本居高不下。蔡司首席履行官指出,此类筹划若无当局层面的巨额资金补贴支撑,在贸易大将难以持续。

罗姆蒙德直言,缺乏EUV将使中国难以在全球市场上保持经久竞争力。以中芯国际7纳米N+3节点制造的华为麒麟9030芯片为例,其采取了比英特尔18A更慎密的金属间距,可与台积电采取EUV制造的N6工艺相对抗。然而,该芯片在整体机能和功耗表示上依然存在短板,其能效甚至与苹果的高效能核心存在明显差距。固然华为曾声称其LogicFolding封装技巧有望在2031年实现1.4纳米级芯片,但仍将无法绕过高复杂度、低良率与昂扬成本的实际困境。业内分析认为,跟着时光的推移,假如没有EUV设备的加持,中国在半导体范畴的竞争差距或将进一步拉大年夜。

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