最新一期《300毫米晶圆厂瞻望》申报共覆盖全球413家晶圆厂及临盆线,比拟2026年3月上一次宣布,本次更新中包含155项数据调剂以及7个新增晶圆厂/临盆线项目。这一数据也从侧面反应出,在AI驱动的新一轮半导体周期中,存储家当链正处于快速扩大与进级阶段,相干设备和工艺投入的密度与广度均在持续晋升。

瞻望更长周期,申报估计2024年至2029年间,全球存储范畴300毫米晶圆厂设备支出将以19%的复合年增长率持续上升。与此同时,全球300毫米存储产能也在同步扩大,估计2026年可达每月410万片晶圆,2027年进一步增至每月420万片晶圆。

SEMI总裁兼首席履行官Ajit Manocha在宣布中表示,高带宽存储(HBM)及其他先辈存储技巧的强劲需求正在重塑全部半导体供给链的投资优先级。他指出,伴随AI基本举措措施的敏捷扩大,存储厂商正加快在产能扩大和技巧迁徙上的投入,以支撑下一波数据密集型应用的到来。

在具体细分范畴方面,2026年DRAM设备支出估计将增长29%,达到370亿美元,重要受HBM和DDR5在GPU及各类AI加快器上的旺盛需求驱动。3D NAND设备支出同样出现强劲上升趋势,估计2026年将增长28%,至140亿美元,背后是与AI安排相干的数据存储需求持续攀升。

SEMI表示,对先辈制程DRAM以及更高层数3D NAND的持续投资,使得将来存储产能前景进一步改良,并在最新2Q26版《300毫米晶圆厂瞻望》中上调了相干猜测。不过,申报也强调,跟着先辈制程DRAM、HBM以及更高层数NAND技巧节点赓续演进,工艺复杂度上升,技巧迁徙过程对有效产能增速形成必定克制,使产能增长在总体上保持“平和而可控”。

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