三星美国芯片工厂获准提前运营 竞逐特斯拉AI芯片订单
三星电子在美国半导体本土化布局上取得关键进展。三星电子已获得临时批准，可先行启动其位于得克萨斯州泰勒市在建芯片工厂的部分运营。这标志着其为特斯拉生产下一代AI芯片的计划迈出实质性一步。
Samsung 三星
首款2nm芯片三星Exynos 2600没有集成5G基带 须要零丁外挂
三星在本月推出了Exynos2600，这是全球首款2nm手机芯片。不过三星做出了一个颇为反常的举动—未在Exynos2600中集成5G基带，此举可能是为了简化应用处理器的制造流程。
三星闪存涨价100% 涨幅远超市场预期
今年第一季度，三星已将NAND闪存的供应价格上调超过100%，涨幅远超市场预期，凸显出当前半导体市场严重的供需失衡。据行业知情人士透露，三星电子已于去年年底完成与主要客户的供应合同谈判，并从1月起执行新的价格体系。
三星拟向高通、苹果开放独家芯片降温技巧
据ETNews报道，三星电子计划将其自主研发的HPB（HeatPassBlock）封装技术开放给外部客户，首批合作对象或包括高通与苹果。
传三星正测试双电芯2万毫安时硅碳电池 屏显续航达27小时但出现鼓包隐患
近期多款来自中国品牌的智能手机开始配备8000毫安时乃至更大容量电池，而有爆料称，三星旗下电池部门SamsungSDI正在测试一款面向智能手机的超大容量双电芯硅碳电池，标称容量高达2万毫安时。一向在手机电池容量上相对保守的三星，即便是最新旗舰GalaxyS25Ultra也仍采用5000毫安时电池，因此这则传闻在业内引发关注。
三星Galaxy XR的拆解揭示了异常有趣的机身构造
近日，知名拆解机构iFixit公布了对三星GalaxyXR头显的完整拆解过程，详细展示了这款今年10月发布的Android混合现实设备在内部结构和可维修性方面的设计取舍，引发业界关注。GalaxyXR此前已因重量更轻于苹果VisionPro、支持运行全部Android应用等特性受到讨论，如今其硬件层面的细节也逐渐清晰。
三星Galaxy S26 Ultra海报偷跑
三星将在本月举办GalaxyUnpacked活动，正式发布年度旗舰GalaxyS26系列，包含GalaxyS26、GalaxyS26+和GalaxyS26Ultra三款旗舰。随着发布时间的临近，有关GalaxyS26系列的细节陆续揭开。
2026年首款万元机皇 三星Galaxy S26 Ultra机模上手
三星通常会在Q1发布最新的GalaxyS系列旗舰，按照惯例，GalaxyS26系列也将在2026年Q1登场。现在三星GalaxyS26Ultra的机模在社交平台上被曝光，其外观正式揭晓。如图所示，GalaxyS26Ultra最明显的变化是左侧的三摄被放置在椭圆形相机岛上，而上代旗舰GalaxyS25Ultra没有相机岛，各个镜头采用独立的排列方式。
据称三星正推动 2 纳米定制 HBM 逻辑芯片的开辟
据韩国媒体报道，三星半导体正推进一项针对高带宽内存（HBM）的全新2纳米工艺项目，计划为不同客户需求开发定制化HBM逻辑芯片。报道引述业内人士称，尽管具体客户名单尚未披露，但三星HBM开发团队已经着手为下一代产品预研使用“先进至2纳米”的晶圆代工制程，为未来数代HBM解决方案奠定基础。
Galaxy S26大年夜约有50%的供货并未采取三星自家DS部分的内存
尽管三星贵为全球内存芯片巨头，但在2026年这一波史诗级的存储涨价潮中，自家的手机业务也没能拿到优待。根据最新的行业报道，刚刚发布的GalaxyS26系列在内存供应上采取了极其罕见的策略。在其首批订单中，大约有50%的机型并未采用三星自家DS部门的内存，而是选用了美光的LPDDR5X芯片。
