三星闪存涨价100% 涨幅远超市场预期
今年第一季度，三星已将NAND闪存的供应价格上调超过100%，涨幅远超市场预期，凸显出当前半导体市场严重的供需失衡。据行业知情人士透露，三星电子已于去年年底完成与主要客户的供应合同谈判，并从1月起执行新的价格体系。
Samsung 三星
2nm工艺照样有弱点 三星S26实测发烧降频繁比骁龙严重
三星去年用2nm工艺量产了Exynos2600处理器，号称全球首款2nm工艺手机SoC，还用上了HPB散热技术。Exynos2600这次在三星的GalaxyS26旗舰机上大量应用，首发销量也不错，一度被视为三星2nm工艺崛起的希望，然而实测下来Exynos2600的发热、降频问题还是比骁龙处理器差。
抓住苹果AI空窗期 三星CEO：愿与OpenAI等更多公司杀青计谋合作
3月8日，据《金融时报》报道，三星电子希望与更多AI公司达成新的战略合作，将多种模型集成到智能手机中，以削弱苹果公司在全球市场的领先地位。
三星拟向高通、苹果开放独家芯片降温技巧
据ETNews报道，三星电子计划将其自主研发的HPB（HeatPassBlock）封装技术开放给外部客户，首批合作对象或包括高通与苹果。
三星在为期18天大年夜罢工前夕慢慢关停芯片产线 全球存储供给再迎重压
三星电子正在为一场即将到来的大规模工人罢工做准备，开始逐步降低工厂稼动率并关停部分芯片生产线。据韩国媒体报道，公司正放缓晶圆投片节奏，转入所谓的“紧急经营模式”，实质上就是压缩产能并减少新晶圆进入生产流程。目前约有43286名工厂工人加入罢工行动，占其半导体事业群（DS部门）员工总数的一半以上，人员缺口正直接拖累生产线运转。
三星Galaxy S26 Ultra海报偷跑
三星将在本月举办GalaxyUnpacked活动，正式发布年度旗舰GalaxyS26系列，包含GalaxyS26、GalaxyS26+和GalaxyS26Ultra三款旗舰。随着发布时间的临近，有关GalaxyS26系列的细节陆续揭开。
三星Galaxy XR的拆解揭示了异常有趣的机身构造
近日，知名拆解机构iFixit公布了对三星GalaxyXR头显的完整拆解过程，详细展示了这款今年10月发布的Android混合现实设备在内部结构和可维修性方面的设计取舍，引发业界关注。GalaxyXR此前已因重量更轻于苹果VisionPro、支持运行全部Android应用等特性受到讨论，如今其硬件层面的细节也逐渐清晰。
三星对移动营业部分在内存危机中初次出现吃亏认为日益担心
4月22日报道，随着人工智能相关需求持续吞噬全球RAM产能，智能手机行业正面临成本快速上升的压力，三星对此的担忧也在进一步加深，甚至已开始警惕其移动业务部门可能出现历史上首次年度亏损。
据称三星正推动 2 纳米定制 HBM 逻辑芯片的开辟
据韩国媒体报道，三星半导体正推进一项针对高带宽内存（HBM）的全新2纳米工艺项目，计划为不同客户需求开发定制化HBM逻辑芯片。报道引述业内人士称，尽管具体客户名单尚未披露，但三星HBM开发团队已经着手为下一代产品预研使用“先进至2纳米”的晶圆代工制程，为未来数代HBM解决方案奠定基础。
Google下一代Tensor AI芯片或将交由三星部分代工
据知情人士透露，Google正与三星洽谈，计划在下一代Tensor人工智能芯片的生产上引入这家韩国科技巨头作为新的代工伙伴。Google目前的张量处理单元（TensorProcessingUnit，TPU）主要由博通（Broadcom）与台积电（TSMC）协力生产，但随着未来AI芯片产能趋紧，Google正寻求在现有基础上扩充代工阵容。
