三星宣布 Galaxy S26 与 S26+：小改硬件 大年夜推 AI 体验
三星今日正式发布GalaxyS26系列，其中基础款GalaxyS26带来更大的6.3英寸屏幕与4300mAh电池，而GalaxyS26+在硬件层面变化不大，更多升级集中在芯片性能与一系列面向“智能代理时代”的AI功能上。
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三星Galaxy S26系列获FCC认证 全球搭载首款2nm芯片智妙手机
三星GalaxyS26系列已通过美国联邦通信委员会（FCC）认证，认证信息显示，其中包含GalaxyS26、GalaxyS26+以及GalaxyS26Ultra三款机型。由于认证是面向美国的版本，所以三款新机均搭载骁龙8EliteGen5处理器，支持卫星通信功能。
三星Exynos 2600确认10核心、3.9GHz超大年夜核 全球首款2nm手机芯片
三星Exynos2600的机型依然定档在明年1月份上市，由GalaxyS26系列首发搭载，这是行业首款2nm芯片，采用三星2nmGAA工艺制造。据博主“i冰宇宙”最新消息，Exynos2600确认采用10核心CPU方案，包括1个3.9GHz超大核、3个3.25GHz大核以及6个2.75GHz核心。
赶超SK海力士梦碎：三星猛冲高端内存 却栽在基本良品率上
三星在高端内存领域的追赶步伐遭遇重大挫折。由于关键基础技术D1dDRAM的良率未能达到内部设定目标，三星已决定无限期推迟下一代HBM5E内存的量产计划。此次出问题的D1dDRAM是三星第七代10纳米级工艺，原本是未来HBM解决方案的核心基础。按照规划，这项技术将被用在第九代HBM产品HBM5E上。
内存芯片价格涨势“前所未有” 三星电子季度利润有望立异高
据韩国三星电子联席首席执行官最新表示，内存芯片短缺的局面“前所未有”且“极其严重”，并且内存芯片价格飙升将对智能手机价格产生不可避免的影响。据市场追踪机构DRAMeXchange称，过去一年中，传统DDR4DRAM的基准价格飙升了近七倍——这是自2016年开始追踪价格以来的最高水平；同时，NAND闪存的价格也大幅上涨，同期涨幅超过一倍。
三星停产2D NAND闪存 将旧产线改革为HBM4现代工厂
据韩国媒体TheElec报道，三星电子计划于今年正式停止2DNAND闪存存储的生产，并对相关老旧生产线进行全面改造，以顺应快速增长的人工智能算力与高带宽存储（HBM）需求。
三星代工接连拿下NVIDIA、Tesla、AMD大年夜单 Q4有望扭亏
据韩国媒体报道，三星代工业务正迎来强势反弹，在接连获得特斯拉和高通的订单后，三星又拿下NVIDIA新一代AI推理芯片"Grok3LPU"的生产合同，目前正与AMD洽谈下一代芯片的代工合作。
博主暴力测试三星三折叠：14.4万次后搭钮就“软了” 未达20万次官方承诺
日前，三星GalaxyZTriFold三折叠手机发布，官方承诺铰链可经受20万次折叠测试。三星还称，这一测试数据模拟了每天折叠100次、连续使用5年的场景。
三星电子和韩国当局恢复工资会谈的提议遭工会拒绝
三星电子和韩国政府周四均敦促工会恢复工资谈判，但遭到工会方面的拒绝。三星电子向其两大工会发送了一份正式文件，这被广泛认为是为避免定于下周四举行的罢工而做出的最后努力。
55岁三星长公主李富真露面 腿脚不便引存眷
日前，韩国访问年委员会委员长、新罗酒店社长李富真现身首尔明洞街区，与韩国高官一同视察文旅。现场视频显示，李富真身穿灰色大衣，面带微笑与随行官员交流。
