美光称人工智能驱动的内存缺乏现象“前所未有”
英伟达公司供应商美光科技有限公司表示，持续的存储芯片短缺问题在过去一个季度进一步加剧，并重申，由于人工智能基础设施所需高端半导体的需求激增，此次供应短缺将持续至今年以后。
硬件
贴纸导致显卡异常 PNY质检疏漏激发瑰异故障
近日，多起涉及PNY显卡的非典型故障事件引发用户讨论。一位用户在安装新购买的PNY显卡后，频繁遭遇系统异常关机和性能不稳定现象。初期问题疑似出厂缺陷或硬件兼容性问题，经用户拆解检查后，故障根源却出乎意料——一张质检标签被直接贴在了显卡PCIe接口的金手指上。
数据中间将吞噬全球七成内存产能 2026年“缺芯潮”或伸展至更多行业
2026年的全球内存与存储市场正快速逼近一个关键拐点：在生成式人工智能和大模型训练、推理需求的推动下，数据中心正以前所未有的速度“吞噬”内存资源。最新业内报告预计，到2026年，全球产出的内存芯片中多达约70%将被数据中心消耗，留给个人电脑、智能手机及各类消费电子产品的空间将被大幅压缩。
美欧电动车需求疲软重创韩电池业 LG等三大年夜巨擘集体吃亏
受美国电动汽车补贴政策调整以及欧美电动车需求走弱影响，韩国三大动力电池巨头（LG新能源、三星SDI和SKOn）去年第四季度均出现营业亏损，就连前三季度唯一实现盈利的LG新能源也未能幸免。
格力电器车用碳化硅芯片将量产 董明珠称将来供广汽折半芯片
格力电器（000651.SZ）总裁助理、珠海格力电子元器件有限公司总经理冯尹在大湾区化合物半导体生态应用大会上透露，格力电器碳化硅芯片工厂在量产家电用碳化硅芯片后，今年光伏储能用、物流车用碳化硅芯片也将量产。
SK海力士完成无锡DRAM晶圆厂制程进级 占公司40%DRAM产量
存储巨头SK海力士已顺利完成其中国无锡工厂的制程升级，将DRAM生产节点从原有的1znm全面转向更先进的1anm。目前，无锡工厂的DRAM月产能约为18万至19万片12英寸晶圆，其中约90%已完成向1a制程的转换。在DRAM工艺中，1z代表10纳米级别第三代制程，1a则属于第四代。
美光拟18亿美元收购台湾力晶半导体晶圆厂 扩产内存芯片
美光科技公司宣布，已与力晶半导体签署意向书，计划以18亿美元收购后者位于台湾铜锣的P5晶圆厂基地，以扩大内存芯片产能。交易预计在今年第二季度完成交割，届时美光将接管该厂，并分阶段提升DRAM产量，公司预期该项目将在2027年下半年贡献具有规模效应的DRAM晶圆产出。
SK海力士、三星加快HBF贸易化过程 最快来岁用于英伟达产品
尽管HBM自推出到登上半导体产业舞台中心花费了近十年时间，但其迭代技术HBF或将以更快速度实现商业化和普及。据韩国经济日报等外媒报道，SK海力士正与闪迪合作，致力于HBF标准的制定。该公司计划最早于今年推出HBF1（第一代产品）样品，该产品预计采用16层NAND闪存堆叠而成。
联动韩国人气女团 雷蛇宣布BLACKPINK限量联名外设
2025年12月，雷蛇宣布将与韩国YG娱乐公司旗下K-pop女子组合BLACKPINK展开联动，推出限量版联名外设产品。今日，雷蛇正式发布BLACKPINK联名外设阵容，涵盖炼狱蝰蛇标准版游戏鼠标、雨林狼蛛V3竞技版机械键盘、巨甲虫V2鼠标垫以及水神X电竞椅。
三星、SK海力士联手减产NAND闪存 加剧供给重要局面
在AI对存储需求暴增的情况下，掌握全球NAND闪存市场超过60%份额的两大韩国企业三星电子与SK海力士，却要在2026年进一步缩减产能。这一决策可能会加剧服务器、PC及移动设备等全领域面临的供应紧张局面，但同时也预示着存储大厂的盈利结构将迎来显著改善。
