在华尔街，高盛和野村等投资机构也已经也做出类似断定。
内存缺乏或延续至来岁
近年来，跟着巨额资金持续投入到数据中间基本举措措施扶植中，市场对内存芯片的需求也达到了前所未有的程度，半导体的价格也是以出现了前所未有的上涨，这种上涨趋势本年还将持续。
全球EDA和半导体IP范畴的龙头企业新思科技（ Synopsys） 的首席履行官萨西尼·加齐（Sassine Ghazi）在接收采访时表示，芯片“缺乏”现象将在2026年和2027年持续下去。
加齐表示，今朝，全球顶尖厂商的大年夜部分内存芯片“直接流向了人工智能基本举措措施，但很多其他产品也须要内存，所以如今这些其他市场因产能不足而陷入困境。”
他指出，三星、SK 海力士和美光作为全球最大年夜的内存公司，固然正致力于扩大年夜临盆，但要实现扩产目标，须要“至少”两年的时光，这也是此次缺乏将持续下去的原因之一。
布鲁姆斯伯里谍报与安然研究所（The Bloomsbury Intelligence and Security Institute）则指出：
“如今对于内存公司来说是一个黄金时代，”加齐说道。他还弥补称，内存价格的上涨意味开花费电子公司可能不得不推敲提价，而这一趋势今朝“已经在产生”。
我们正处于“超等周期”
平日来说，内存价格会经历供给缺乏或供给多余的周期，这种周期决定了这些组件的价格。然而，越来越多行业人士和分析师感触感染到，当前的内存正处于“超等周期”——换言之，供给缺乏的情况将持续比以前更长的时光，内存的涨价潮将会比以前持续更久、范围更大年夜。
事实上，美光科技在去岁尾宣布2026财年第一季度事迹申报时就曾做出过如许的猜测。
美光表示，持续的行业需求加上供给限制，导致存储市场供给重要，估计这种情况将持续到2026年今后。这意味着市场上行周期至少会持续三年，甚至可能更久。
推动这一趋势的重要身分是HBM芯片的强劲需求。美光猜测，到2028年，HBM总潜在市场将以约40%的复合年增长率增长，从2025年的约350亿美元增长到2028年的约1000亿美元。
而与此同时，NAND的需求往往会跟随HBM上涨，这注解当前的存储上升周期可能会从2024年持续到2028年。
“全球内存市场正经历一场构造性危机，其原因是制造商将晶圆产能从DRAM从新分派到用于HBM芯片上。是以，DRAM价格同比上涨了171%，而DDR5现货价格自2025年9月以来已经翻了两番。”
这种情况会持续多久？存储器价格可能在2027-2028年时代保持高位，只有当新的制造举措措施实现量产时，价格才有可能部分恢复正常；假如跟着产能的扩大，人工智能需求放缓，那么可能到2028-2029年才会出现供给多余的情况。
行业分析公司IDC也强调了半导体“超等周期”已经到来。他们表示：“在经历了2023年的调剂和2024年的清醒之后，2024年至2028年的经久半导体收入增长仍有望实现两位数的复合年增长率。”
华尔街投行做出类似猜测
高盛在近期的查询拜访申报中指出，改过年伊始，DDR5现货价格已出现大年夜幅上涨，而 DDR4现货价格自2024年9月开端上涨，今朝仍呈上升趋势。这意味着DRAM合约价格近期上涨动力强劲，原因是DDR5/DDR4 现货价格已经相较于合约价格产生了巨大年夜溢价。
高盛还猜测，全球存储巨擘三星本年的DRAM芯片平均订价将会每个季度环比增长，尤其是一季度增幅估计可达50%。
高盛：三星本年DRAM芯片订价估计持续增长
而野村在近期的申报中指出，全球存储器市场正在经历前所未有的“三重超等周期”，估计在2026年，DRAM、NAND和HBM的需求将同时激增。
野村还断定称，在强劲的需求增长和有限的供给扩大影响下，这一超等周期将持续到2027年。
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