ASML全新EUV光刻机重大年夜飞跃 1000W功率+50％、产能+50％

当然，杀青1000W光源和完全的光刻体系，须冲要破重重障碍。

第一，ASML必须尽快搞定2024岁尾就颁布的三脉冲极紫外光生成技巧。

它起首经由过程1微米的预脉冲(pre-pulse)，将锡滴压平，再经1微米的稀少预脉冲(rarefaction pre-pulse)，使锡滴形成稀少状况，最后由10微米的二氧化碳激光主脉冲，将锡滴转化为极紫外等离子体。

ASML已经为此技巧申请了专利，但尚未商用落地，估计要比及这个10岁终期退出的Twinscan NXE:4000系列光刻机。

第二，1000W光源必须配备全新的锡滴产生装配，使其发射频率晋升近一倍，达到每秒10万个。

这一装配今朝仍处于研发阶段，还得几年才能投入贸易化。

第三，跟着锡滴发射数量的大年夜量增长，必定导致晶圆（更精确地说是晶圆保护膜）上的杂质残留量增长。

是以必须配备全新的杂质收集装配，快速清除它们。

第四，1000W光源产生之后，精准传导至晶圆也异常难，为此须要全新的高透射投影光学体系。

该体系进一步进级后，可将产能晋升至每小时跨越450块晶圆，对应的光源功率也将达到1500W阁下。

第五，对晶圆台和掩模台也提出了新请求，必须同步完成进级。

第六，还须要全新的光刻胶和晶圆保护膜，与之适配。

所以，一台全新光刻机的出生，并不只是ASML的工作，须要全部家当链做好周全预备。

值得一提的是，ASML还没有将1000W EUV光源整合到高、低数值孔径(NA) EUV光刻技巧路线图中。

低NA方面，新一代Twinscan NXE:4000F光刻机筹划2027年面市，针对1.xnm工艺节点设计，包含Intel 14A和台积电16A/14A)，套刻精度可达0.8nm，每小时产能跨越250块晶圆。

2029年，我们将看到Twinscan NXE:4200G，产能每小时跨越280块晶圆。

高NA方面，Twinscan EXE:5200C光刻机来岁登场，每小时产能跨越185块晶圆，套刻精度优于0.9nm。

2029年，Twinscan EXE:5400D光刻机将接踵而至，产能将冲破每小时195片晶圆。