三星与SK海力士拟大年夜幅晋升尖端NAND产能

业内消息显示，三星与SK海力士均筹划在本年第二季度推动最尖端NAND的“转换投资”。

三星已于2024年9月启动280层V9 NAND的量产，但今朝产能范围仍较小，月产能仅约1.5万片晶圆。此前出于市场需求推敲，三星仅在平泽园区安排了初步量产线。

接下来，三星拟从本年第二季度起扩大年夜V9产能，重点将放在中国西安的X2产线。今朝该产线仍重要临盆第6至第7代旧款NAND，而邻近的X1产线向第8代NAND的转换已根本完成。

据悉，当前业内评论辩论的转换投资范围约为月产4–5万片晶圆。跟着设备慢慢导入，V9 NAND估计将从来岁起正式进入量产加快阶段。

半导体业内人士泄漏，三星原筹划在第一季度启动西安X2产线的V9转换，但今朝日程已推迟至第二季度。同时，平泽第一园区（P1）也在预备相干投资。估计来岁V9产品在临盆中的占比将明显晋升。

SK海力士方面也在积极推动先辈NAND的产能扩大。公司筹划于本年第二季度启动321层第9代NAND的转换投资，目标是在清州M15工厂实现月产约3万片晶圆的V9产能。与今朝约2万片晶圆的程度比拟，此次扩产幅度明显。

行业不雅察指出，三星与SK海力士均在为先辈NAND需求的持续增长做提前构造。以前两家公司的设备投资几乎全部集中在DRAM，而今朝NAND市场也已出现供给重要的迹象。