ASML颁布下一代Hyper-NA EUV光刻机 可支撑“0.7nm” 之后更先辈制程

ASML披露，High-NA技巧家当化已进入关键阶段。首台EXE:5000于2023年四时度出货，2024年三季度完成首片晶圆曝光。进级版EXE:5200B客岁四时度交付，搭载2025年表态的1000W激光光源后产能达每小时175片。

截至2025年12月，全球已累计临盆50万片High-NA晶圆。比拟传统0.33NA EUV，0.55NA能将关键层曝光次数从3次减至1次，大年夜幅压低制程复杂度。ASML资深技巧高管Chris DeRuiter表示，High-NA迈向大年夜范围量产的势头优胜，将成为将来数年先辈制程的核心支撑。

更受存眷的是初次官宣的Hyper-NA技巧，其数值孔径将冲破0.75，目标是在更先辈节点保持单次曝光可行性。ASML技巧高等副总裁JosBen schop称，该技巧估计2030年代中后期落地，刚好承接2033年A7节点之后的需求。

这里须要澄清行业广泛误区，A7常被称作"0.7nm代次"，但这只是定名规矩（比如A14被外界称为1.4nm事理一样），与芯片现什物理尺寸无关，它是当前High-NA光刻机单次曝光才能的极限。