三星1dnm DRAM良品率未达标 或导致HBM5E推迟量产

按照原筹划，三星拟将1dnm工艺制造的DRAM芯片用于HBM5E，即第九代HBM解决筹划。

值得留意的是，除了HBM4之外，今朝采取1cnm工艺的DRAM芯片还将被用于HBM4E和HBM5，覆盖持续三代HBM产品。另有传闻称，三星可能进级下一代 HBM 的基本裸片，改用更先辈的2nm工艺。

今朝，三星已在1dnm工艺DRAM芯片上投入更多资本，并在韩国扶植一座新工厂。

据悉，该工厂占地面积约为四个标准足球场大年夜小，除临盆DRAM芯片外，还将承担封装、测试、物流及品控等环节，这些工序对于保持稳定临盆至关重要。