SK海力士完成无锡DRAM晶圆厂制程进级 占公司40%DRAM产量

此前市场曾担心，美国半导体设备出口管束可能影响无锡厂获取先辈设备，进而阻碍其技巧进级并冲击全球供给。今朝来看，这一风险已获得有效管控。

更先辈的制程意味着更高的机能、更低的功耗以及每片晶圆可产出更多芯片，此次进级使SK海力士在无锡得以临盆机能明显晋升的DRAM产品。

无锡工厂的进级备受存眷，重要因其在全球供给链中占据关键地位——该厂供献了SK海力士全球DRAM产量的30%至40%，是公司核心的临盆基地。

值得留意的是，1a DRAM制程需应用极紫外（EUV）光刻设备，而此类设备受美国管束无法直接对华出口。

为此，SK海力士采取了“分段制造”策略：将EUV光刻这一关键步调安排在韩国进行，随后把晶圆运回无锡完成后续工序。尽管该筹划增长了流程复杂性与成本，但鉴于无锡厂的计谋重要性，公司仍果断推动了制程迁徙。

自2006年投产以来，SK海力士在无锡工厂累计投入已达数十万亿韩元。与此同时，在韩国本土，公司正加快向更先辈的1c（第六代10纳米级）制程迈进，相干临盆重要集中在利川的M14和M16工厂。

经由过程这一构造，无锡工厂承担大年夜范围、成熟制程的DRAM临盆，韩国工厂则聚焦于最先辈的DRAM及HBM等高端产品，从而在相符地缘政策请求的同时，保持技巧领先地位。