而英特尔最新揭橥的一篇技巧文章可能可以解释此次促成合作的关键。在宣布合作关系的当天,英特尔晶圆代工技巧研究院高等首席工程师Han Wui Then在社区论坛上发文指出,英特尔在氮化镓芯片上取得了冲破性进展。

研究人员还采取了一种名为研磨前隐形切割(SDBG)的新型减薄工艺,使英特尔可以或许制造出硅基底厚度仅为19微米的氮化镓芯片。作为参考,1微米等于百万分之一米,而19微米仅为人类头发丝直径的五分之一。
新冲破
据该文章介绍,氮化镓芯片是一种化合物半导体,在高压情况下比硅更稳定。英特尔已经找到一种办法,可以应用标准半导体临盆设备在标准的300毫米晶圆上直接发展氮化镓芯片,从而实现低成本临盆。
据英特尔称,这一集成在后续测试中取得了不俗的表示,在高压力前提下仍能正常工作并保持其稳定性。这些技巧改进对于Terafab来说意味着可以临盆出更轻薄的芯片,从而减轻火箭发射时的重量,从而降低发射成本。
而在芯片本身的机能优化之外,氮化镓芯片还有另一重优势,其比硅芯片更耐辐射,意味着其更合适于太空功课,而Terafab将来的一大年夜应用处景就是太空数据中间。
此外,英特尔还成功将氮化镓功率电子器件和硅逻辑电路集成在同一芯片上,这意味着传统制造工艺中,因功率晶体管体积过大年夜产生大年夜量热量和电噪声而必须将其与逻辑电路分开制成两块芯片的问题被解决,从而进一步缩小了芯片空间,并削减电流损耗。
不过,今朝尚不清楚英特尔是会直接授权Terafab应用氮化镓技巧,照样会与SpaceX和特斯拉合营在Terafab项目投资成长这一技巧。且鉴于Terafab的投资之巨,英特尔与Terafab的将来盈利前景还须要一准时光的考验,人们可能在几年后才能懂得这一项目标经济影响。

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